바이폴라 트랜지스터 - BJT

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그림	모델	가격	양		재고	제조사	기술	Maximum Operating Temperature	Series	Configuration	Transistor Polarity	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector- Base Voltage VCBO	Emitter- Base Voltage VEBO	Maximum DC Collector Current	Gain Bandwidth Product fT
	HN4B01JE(TE85L,F)		견적을 받아 전망	PDF RFQ		Toshiba	Bipolar Transistors - BJT Vceo=-50V Vceo=50V	+ 150 C	HN4B01	Dual	NPN, PNP	50 V	60 V @ NPN or 50 V @ PNP	5 V	0.15 A	80 MHz (Min)

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