1 산물
| 그림 | 모델 | 가격 | 양 | 재고 | 제조사 | 기술 | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Tradename | |
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견적을 받아 |
100
재고
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IXYS | MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET | Through Hole | TO-247-3 | Tube | Si | N-Channel | 170 V | 220 A | 6.3 mOhms | HiPerFET |
